Лекторий «От проблем фотоники к реальным технологиям!»

23 марта состоится лекция в рамках совместного лектория лаборатории экспериментальной физики НГУ, Института автоматики и электрометрии СО РАН и Института лазерной физики СО РАН «От проблем фотоники к реальным технологиям!»

Лекцию на тему «Фемтосекундные синтезаторы частот» прочитает ведущий научный сотрудник Института лазерной физики СО РАН, кандидат физико-математических наук Борис Нюшков.

Лекция состоится 23 марта (среда) в 16:20, ауд. 204 главного корпуса НГУ (ул. Пирогова, д. 2)

Подробнее...

Флеш-память: запомнить всё!

В статье главный научный сотрудник Института физики полупроводников СО РАН, д.ф-м.н. В.А. Гриценко – известный в мире специалист в области физики диэлектрических плёнок и флеш-памяти - рассказывает о флеш-памяти, которая работает благодаря диэлектрикам, имеющим низкую проводимость и обладающим эффектом памяти. Оксид (SiO₂) и нитрид (Si₃N₄) кремния – два ключевых диэлектрика, на которых и основаны приборы кремниевой микроэлектроники. Но их полезные свойства не проявились бы без так называемых ловушек. Совместно с ведущим научным сотрудником Института автоматики и электрометрии СО РАН д.ф-м.н. К.А. Насыровым было установлено, что проводимость нитрида кремния не описывается широко принятой во всем мире моделью ионизации ловушек по механизму Френкеля.

Подробнее...